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FDU8586
- Modello di prodotti:
- FDU8586
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15380 Pieces
- Scheda dati:
- FDU8586.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FDU8586, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FDU8586 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-251AA |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5.5 mOhm @ 35A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 77W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FDU8586 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2480pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 48nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 35A (Tc) 77W (Tc) Through Hole TO-251AA |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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