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FDU6N50TU
- Modello di prodotti:
- FDU6N50TU
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 6A IPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14398 Pieces
- Scheda dati:
- FDU6N50TU.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FDU6N50TU, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FDU6N50TU via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I-Pak |
| Serie: | UniFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 900 mOhm @ 3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 89W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FDU6N50TU |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 940pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 16.6nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 500V 6A (Tc) 89W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 500V 6A IPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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