FDU6680
FDU6680
Modello di prodotti:
FDU6680
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 12A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17973 Pieces
Scheda dati:
FDU6680.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:IPAK (TO-251)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.3W (Ta), 56W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDU6680
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1230pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 12A (Ta), 46A (Tc) 3.3W (Ta), 56W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 12A IPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 46A (Tc)
Email:[email protected]

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