FDS2670
FDS2670
Modello di prodotti:
FDS2670
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14710 Pieces
Scheda dati:
FDS2670.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:130 mOhm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:FDS2670-ND
FDS2670TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:FDS2670
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1228pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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