FDP15N65
Modello di prodotti:
FDP15N65
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16426 Pieces
Scheda dati:
1.FDP15N65.pdf2.FDP15N65.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:UniFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:440 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):250W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDP15N65
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3095pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:63nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 15A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

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