FDP13AN06A0
Modello di prodotti:
FDP13AN06A0
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14885 Pieces
Scheda dati:
FDP13AN06A0.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:13.5 mOhm @ 62A, 10V
Dissipazione di potenza (max):115W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDP13AN06A0
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 10.9A (Ta), 62A (Tc) 115W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10.9A (Ta), 62A (Tc)
Email:[email protected]

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