FDMC86116LZ
FDMC86116LZ
Modello di prodotti:
FDMC86116LZ
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-MLP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12997 Pieces
Scheda dati:
FDMC86116LZ.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-MLP (3.3x3.3)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:103 mOhm @ 3.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.3W (Ta), 19W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
Altri nomi:FDMC86116LZ-ND
FDMC86116LZTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
codice articolo del costruttore:FDMC86116LZ
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:310pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) 2.3W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-MLP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Email:[email protected]

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