FDG361N
Modello di prodotti:
FDG361N
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12180 Pieces
Scheda dati:
FDG361N.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-70-6
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:500 mOhm @ 600mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):420mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDG361N
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:153pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 600mA (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:600mA (Ta)
Email:[email protected]

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