FDFS2P106A
FDFS2P106A
Modello di prodotti:
FDFS2P106A
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14771 Pieces
Scheda dati:
FDFS2P106A.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:110 mOhm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):900mW (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:FDFS2P106ADKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:FDFS2P106A
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:714pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:Schottky Diode (Isolated)
Descrizione espansione:P-Channel 60V 3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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