FDD8880
FDD8880
Modello di prodotti:
FDD8880
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13741 Pieces
Scheda dati:
FDD8880.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252AA
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:9 mOhm @ 35A, 10V
Dissipazione di potenza (max):55W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:FDD8880DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:FDD8880
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1260pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:31nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 13A (Ta), 58A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Ta), 58A (Tc)
Email:[email protected]

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