FDD6637_F085
FDD6637_F085
Modello di prodotti:
FDD6637_F085
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 35V 13A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14103 Pieces
Scheda dati:
FDD6637_F085.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-PAK (TO-252AA)
Serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:11.6 mOhm @ 14A, 10V
Dissipazione di potenza (max):68W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:FDD6637_F085-ND
FDD6637_F085TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:FDD6637_F085
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2370pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:63nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 35V 68W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):35V
Descrizione:MOSFET P-CH 35V 13A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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