FDD10AN06A0_F085
FDD10AN06A0_F085
Modello di prodotti:
FDD10AN06A0_F085
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14095 Pieces
Scheda dati:
FDD10AN06A0_F085.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252AA
Serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:10.5 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):135W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:FDD10AN06A0_F085DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:FDD10AN06A0_F085
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1840pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:37nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 11A (Ta) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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