FDC6561AN
FDC6561AN
Modello di prodotti:
FDC6561AN
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13652 Pieces
Scheda dati:
FDC6561AN.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:SuperSOT™-6
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:95 mOhm @ 2.5A, 10V
Potenza - Max:700mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi:FDC6561ANTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:9 Weeks
codice articolo del costruttore:FDC6561AN
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:220pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:3.2nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.5A
Email:[email protected]

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