FDB8132
Modello di prodotti:
FDB8132
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16430 Pieces
Scheda dati:
FDB8132.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263AB
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:1.6 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):341W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDB8132
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:14100pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:350nC @ 13V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 80A (Tc) 341W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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