FDB5690
FDB5690
Modello di prodotti:
FDB5690
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15856 Pieces
Scheda dati:
FDB5690.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D²PAK (TO-263AB)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:27 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max):58W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:FDB5690-ND
FDB5690TR
temperatura di esercizio:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDB5690
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1120pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 32A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

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