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FDB16AN08A0
- Modello di prodotti:
- FDB16AN08A0
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17098 Pieces
- Scheda dati:
- FDB16AN08A0.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FDB16AN08A0, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FDB16AN08A0 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 16 mOhm @ 58A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 135W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | FDB16AN08A0DKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FDB16AN08A0 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1857pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 75V 9A (Ta), 58A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 75V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Ta), 58A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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