FDB12N50TM
FDB12N50TM
Modello di prodotti:
FDB12N50TM
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17331 Pieces
Scheda dati:
FDB12N50TM.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D²PAK (TO-263AB)
Serie:UniFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:650 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):165W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:FDB12N50TMTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:11 Weeks
codice articolo del costruttore:FDB12N50TM
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1315pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11.5A (Tc)
Email:[email protected]

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