FCPF9N60NTYDTU
FCPF9N60NTYDTU
Modello di prodotti:
FCPF9N60NTYDTU
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15178 Pieces
Scheda dati:
FCPF9N60NTYDTU.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220F-3 (Y-Forming)
Serie:SupreMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:385 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):29.8W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:FCPF9N60NTYDTU
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1240pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 9A (Tc) 29.8W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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