FCP20N60
Modello di prodotti:
FCP20N60
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16975 Pieces
Scheda dati:
1.FCP20N60.pdf2.FCP20N60.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:SuperFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:190 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):208W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:FCP20N60_NL
FCP20N60_NL-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FCP20N60
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3080pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:98nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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