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FCD850N80Z
- Modello di prodotti:
- FCD850N80Z
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19420 Pieces
- Scheda dati:
- FCD850N80Z.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FCD850N80Z, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FCD850N80Z via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 600µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DPAK |
| Serie: | SuperFET® II |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 850 mOhm @ 3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 75W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | FCD850N80ZTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 9 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FCD850N80Z |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1315pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 800V 6A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 800V 6A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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