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FCB110N65F
- Modello di prodotti:
- FCB110N65F
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 20089 Pieces
- Scheda dati:
- FCB110N65F.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FCB110N65F, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FCB110N65F via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 3.5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | FRFET®, SuperFET® II |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 110 mOhm @ 17.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 357W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | FCB110N65FDKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 9 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FCB110N65F |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4895pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 145nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 35A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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