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EMG9T2R
- Modello di prodotti:
- EMG9T2R
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17609 Pieces
- Scheda dati:
- EMG9T2R.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | EMT5 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 10k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 10k |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Altri nomi: | EMG9T2RCT |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | EMG9T2R |
| Frequenza - transizione: | 250MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5 |
| Descrizione: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 30 @ 5mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per EMG9T2R
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BCR08PNE6327BTSA1 | Infineon Technologies | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 | Inchiesta |
 |
DMA264030R | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6 | Inchiesta |
 |
NSBC114TPDXV6T1 | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | Inchiesta |
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