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EMG3T2R
- Modello di prodotti:
- EMG3T2R
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16836 Pieces
- Scheda dati:
- EMG3T2R.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | EMT3 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | - |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 4.7k |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-75, SOT-416 |
| Altri nomi: | EMG3T2R-ND EMG3T2RTR |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | EMG3T2R |
| Frequenza - transizione: | 250MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3 |
| Descrizione: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per EMG3T2R
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BCR185SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 | Inchiesta |
 |
UP0431400L | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 | Inchiesta |
 |
DDC123JU-7 | Diodes Incorporated | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 | Inchiesta |
 |
PEMH18,115 | Nexperia USA Inc. | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 | Inchiesta |
 |
XN0621100L | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6 | Inchiesta |
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