EMF21T2R
EMF21T2R
Modello di prodotti:
EMF21T2R
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17873 Pieces
Scheda dati:
EMF21T2R.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V, 12V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Tipo transistor:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Contenitore dispositivo fornitore:EMT6
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):10k
Resistenza - Base (R1) (ohm):10k
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:EMF21T2R-ND
EMF21T2RTR
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:EMF21T2R
Frequenza - transizione:250MHz, 260MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
Descrizione:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA, 500mA
Email:[email protected]

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