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EMF17T2R
- Modello di prodotti:
- EMF17T2R
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18741 Pieces
- Scheda dati:
- EMF17T2R.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | EMT6 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 2.2k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 2.2k |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | EMF17T2R |
| Frequenza - transizione: | 250MHz, 140MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA, 150mA 250MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Descrizione: | TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA, 150mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per EMF17T2R
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
DMC566000R | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 | Inchiesta |
 |
IMH23T110 | Rohm Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 | Inchiesta |
 |
RN2964FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | Inchiesta |
 |
DDC124EU-7-F | Diodes Incorporated | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 | Inchiesta |
 |
XN0411100L | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6 | Inchiesta |
|
DDC113TU-7-F | Diodes Incorporated | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 | Inchiesta |
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