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EMB6T2R
- Modello di prodotti:
- EMB6T2R
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17224 Pieces
- Scheda dati:
- EMB6T2R.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per EMB6T2R, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per EMB6T2R via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | EMT6 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 47k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 47k |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | EMB6T2R |
| Frequenza - transizione: | 250MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Descrizione: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 68 @ 5mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 30mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per EMB6T2R
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PBLS4004V,115 | NXP USA Inc. | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 | Inchiesta |
 |
IMH9AT110 | Rohm Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 | Inchiesta |
|
PEMH13,315 | Nexperia USA Inc. | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 | Inchiesta |
 |
DCX142JU-7-F | Diodes Incorporated | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | Inchiesta |
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