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EMA8T2R
- Modello di prodotti:
- EMA8T2R
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS DUAL PNP EMT5
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15041 Pieces
- Scheda dati:
- EMA8T2R.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | EMT5 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 47k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 10k |
| Potenza - Max: | 300mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Altri nomi: | EMA8T2RTR |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | EMA8T2R |
| Frequenza - transizione: | - |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount EMT5 |
| Descrizione: | TRANS PREBIAS DUAL PNP EMT5 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 68 @ 5mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per EMA8T2R
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
MUN5216DW1T1 | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | Inchiesta |
 |
BCR 133S H6444 | Infineon Technologies | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | Inchiesta |
 |
DCX114YH-7 | Diodes Incorporated | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | Inchiesta |
 |
RN1706JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV | Inchiesta |
 |
IMB5AT108 | Rohm Semiconductor | TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74 | Inchiesta |
 |
UMH9NTN | Rohm Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 | Inchiesta |
|
RN2707JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV | Inchiesta |
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