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DTDG14GPT100
- Modello di prodotti:
- DTDG14GPT100
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15574 Pieces
- Scheda dati:
- DTDG14GPT100.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 60V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 400mV @ 5mA, 500mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | MPT3 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 10k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | - |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-243AA |
| Altri nomi: | DTDG14GPT100DKR |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | DTDG14GPT100 |
| Frequenza - transizione: | 80MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 60V 1A 80MHz 2W Surface Mount MPT3 |
| Descrizione: | TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 300 @ 500mA, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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