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DTD723YETL
- Modello di prodotti:
- DTD723YETL
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13264 Pieces
- Scheda dati:
- DTD723YETL.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 30V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | EMT3 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 10k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 2.2k |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-75, SOT-416 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | DTD723YETL |
| Frequenza - transizione: | 260MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3 |
| Descrizione: | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 140 @ 100mA, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 200mA |
| Email: | [email protected] |
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