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DTD543XETL
- Modello di prodotti:
- DTD543XETL
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12055 Pieces
- Scheda dati:
- DTD543XETL.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 12V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 5mA, 100mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | EMT3 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 10k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 4.7k |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-75, SOT-416 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | DTD543XETL |
| Frequenza - transizione: | 260MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3 |
| Descrizione: | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 140 @ 100mA, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per DTD543XETL
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