DTD523YETL
DTD523YETL
Modello di prodotti:
DTD523YETL
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17590 Pieces
Scheda dati:
DTD523YETL.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):12V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:EMT3
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):10k
Resistenza - Base (R1) (ohm):2.2k
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-75, SOT-416
Altri nomi:DTD523YETL-ND
DTD523YETLTR
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:DTD523YETL
Frequenza - transizione:260MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3
Descrizione:TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:140 @ 100mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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