DTC114EEBTL
DTC114EEBTL
Modello di prodotti:
DTC114EEBTL
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16078 Pieces
Scheda dati:
DTC114EEBTL.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:EMT3F (SOT-416FL)
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):10k
Resistenza - Base (R1) (ohm):10k
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-89, SOT-490
Altri nomi:DTC114EEBTL-ND
DTC114EEBTLTR
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:DTC114EEBTL
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Descrizione:TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):50mA
Email:[email protected]

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