DTB123TCT116
DTB123TCT116
Modello di prodotti:
DTB123TCT116
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18881 Pieces
Scheda dati:
DTB123TCT116.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):40V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SST3
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):-
Resistenza - Base (R1) (ohm):2.2k
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:DTB123TCT116TR
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:DTB123TCT116
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
Descrizione:PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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