DTB113ZSTP
DTB113ZSTP
Modello di prodotti:
DTB113ZSTP
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15306 Pieces
Scheda dati:
DTB113ZSTP.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SPT
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):10k
Resistenza - Base (R1) (ohm):1k
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Tape & Box (TB)
Contenitore / involucro:SC-72 Formed Leads
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:DTB113ZSTP
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
Descrizione:TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:56 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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