DMP56D0UFB-7
DMP56D0UFB-7
Modello di prodotti:
DMP56D0UFB-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17790 Pieces
Scheda dati:
DMP56D0UFB-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:3-DFN1006 (1.0x0.6)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:6 Ohm @ 100mA, 4V
Dissipazione di potenza (max):425mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:3-UFDFN
Altri nomi:DMP56D0UFB-7DITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:DMP56D0UFB-7
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:50.54pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.58nC @ 4V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 50V 200mA (Ta) 425mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4V
Tensione drain-source (Vdss):50V
Descrizione:MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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