DMP1012UCB9-7
Modello di prodotti:
DMP1012UCB9-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET P-CH 8V 10A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15597 Pieces
Scheda dati:
DMP1012UCB9-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:U-WLB1515-9
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 2A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):890mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:9-UFBGA, WLBGA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:DMP1012UCB9-7
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1060pF @ 4V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10.5nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 8V 10A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount U-WLB1515-9
Tensione drain-source (Vdss):8V
Descrizione:MOSFET P-CH 8V 10A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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