DMN62D1LFD-13
DMN62D1LFD-13
Modello di prodotti:
DMN62D1LFD-13
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18622 Pieces
Scheda dati:
DMN62D1LFD-13.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:X1-DFN1212-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:2 Ohm @ 100mA, 4V
Dissipazione di potenza (max):500mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:3-UDFN
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:DMN62D1LFD-13
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:36pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.55nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 400mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:400mA (Ta)
Email:[email protected]

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