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DMN2005LP4K-7
- Modello di prodotti:
- DMN2005LP4K-7
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16118 Pieces
- Scheda dati:
- DMN2005LP4K-7.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 900mV @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | X2-DFN1006-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 10mA, 4V |
| Dissipazione di potenza (max): | 400mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 3-XFDFN |
| Altri nomi: | DMN2005LP4K7 DMN2005LP4KDITR |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | DMN2005LP4K-7 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 41pF @ 3V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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