DMN10H120SFG-7
DMN10H120SFG-7
Modello di prodotti:
DMN10H120SFG-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16832 Pieces
Scheda dati:
DMN10H120SFG-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerDI3333-8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:110 mOhm @ 3.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
Altri nomi:DMN10H120SFG-7DITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:DMN10H120SFG-7
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:549pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.8A (Ta)
Email:[email protected]

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