DMJ70H1D3SJ3
DMJ70H1D3SJ3
Modello di prodotti:
DMJ70H1D3SJ3
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH TO251
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12914 Pieces
Scheda dati:
DMJ70H1D3SJ3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-251
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):41W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:DMJ70H1D3SJ3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:351pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:13.9nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
Tensione drain-source (Vdss):700V
Descrizione:MOSFET N-CH TO251
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.6A (Tc)
Email:[email protected]

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