Acquistare DMG964H10R con BYCHPS
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| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SSMini6-F3-B |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 47k, 10k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 47k, 4.7k |
| Potenza - Max: | 125mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | DMG964H10R-ND DMG964H10RTR |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | DMG964H10R |
| Frequenza - transizione: | - |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 125mW Surface Mount SSMini6-F3-B |
| Descrizione: | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |