Acquistare DMG563H40R con BYCHPS
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| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SMini5-F3-B |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 10k, 5.1k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 10k, 510 |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 5-SMD, Flat Leads |
| Altri nomi: | DMG563H40R-ND DMG563H40RTR |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | DMG563H40R |
| Frequenza - transizione: | - |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini5-F3-B |
| Descrizione: | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 35 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |