Acquistare DME914C10R con BYCHPS
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V, 12V |
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Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Tipo transistor: | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Contenitore dispositivo fornitore: | SSMini6-F3-B |
Serie: | - |
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 47k |
Resistenza - Base (R1) (ohm): | 4.7k |
Potenza - Max: | 125mW |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
Altri nomi: | DME914C10R-ND DME914C10RTR |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 11 Weeks |
codice articolo del costruttore: | DME914C10R |
Frequenza - transizione: | 300MHz |
Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 300MHz 125mW Surface Mount SSMini6-F3-B |
Descrizione: | TRANS NPN PREBIAS/PNP SSMINI6 |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V |
Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA, 500mA |
Email: | [email protected] |