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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DDTC123JLP-7
DDTC123JLP-7
DDTC123JLP-7
Modello di prodotti:
DDTC123JLP-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18930 Pieces
Scheda dati:
DDTC123JLP-7.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:200mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:3-DFN1006 (1.0x0.6)
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):47k
Resistenza - Base (R1) (ohm):2.2k
Potenza - Max:250mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:3-XFDFN
Altri nomi:DDTC123JLP7
DDTC123JLPDICT
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:DDTC123JLP-7
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Descrizione:TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:180 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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