CYD18S18V18-200BBAXI
CYD18S18V18-200BBAXI
Modello di prodotti:
CYD18S18V18-200BBAXI
fabbricante:
Cypress Semiconductor
Descrizione:
IC SRAM 18MBIT 200MHZ 256FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18342 Pieces
Scheda dati:
CYD18S18V18-200BBAXI.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione di alimentazione -:1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
Contenitore dispositivo fornitore:256-FBGA (17x17)
Velocità:200MHz
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:256-LBGA
Altri nomi:428-3290
CYD18S18V18-200BBAXI-ND
CYD18S18V18200BBAXI
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:18Mb (1M x 18)
Formato di memoria:SRAM
codice articolo del costruttore:CYD18S18V18-200BBAXI
Interfaccia:Parallel
Descrizione:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 256FBGA
Email:[email protected]

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