CYD09S36V18-200BBXC
CYD09S36V18-200BBXC
Modello di prodotti:
CYD09S36V18-200BBXC
fabbricante:
Cypress Semiconductor
Descrizione:
IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16903 Pieces
Scheda dati:
CYD09S36V18-200BBXC.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione di alimentazione -:1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
Contenitore dispositivo fornitore:256-FBGA (17x17)
Velocità:200MHz
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:256-LBGA
Altri nomi:428-2035
CYD09S36V18-200BBXC-ND
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
Livello di sensibilità umidità (MSL):4 (72 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:9Mb (256K x 36)
Formato di memoria:SRAM
codice articolo del costruttore:CYD09S36V18-200BBXC
Interfaccia:Parallel
Descrizione:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256FBGA
Email:[email protected]

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