CSD16323Q3C
Modello di prodotti:
CSD16323Q3C
fabbricante:
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15081 Pieces
Scheda dati:
CSD16323Q3C.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.4V @ 250µA
Vgs (Max):+10V, -8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SON Exposed Pad (3x3)
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:4.5 mOhm @ 24A, 8V
Dissipazione di potenza (max):3W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:296-28096-2
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
codice articolo del costruttore:CSD16323Q3C
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 12.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8.4nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 25V 21A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-SON Exposed Pad (3x3)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):3V, 8V
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:21A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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