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CGHV35060MP
- Modello di prodotti:
- CGHV35060MP
- fabbricante:
- Cree
- Descrizione:
- RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13708 Pieces
- Scheda dati:
- CGHV35060MP.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 50V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 150V |
| Tipo transistor: | HEMT |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 20-TSSOP |
| Serie: | GaN |
| Alimentazione - uscita: | 60W |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad |
| Altri nomi: | CGHV35060MPDKR |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | CGHV35060MP |
| Guadagno: | 14.5dB |
| Frequenza: | 2.7GHz ~ 3.5GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet HEMT 50V 125mA 2.7GHz ~ 3.5GHz 14.5dB 60W 20-TSSOP |
| Descrizione: | RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 125mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per CGHV35060MP
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BF1217WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL SOT343R | Inchiesta |
 |
PTFA041501EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 150W H36248-2 | Inchiesta |
 |
BLF6G15L-250PBRN,1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1110A | Inchiesta |
 |
CGHV35150F | Cree/Wolfspeed | FET RF 125V 3.5GHZ 440193 | Inchiesta |
 |
CGHV35400F | Cree/Wolfspeed | FET RF 125V 3.5GHZ 440210 | Inchiesta |
 |
CGHV31500F | Cree/Wolfspeed | FET RF 125V 24A 440217 | Inchiesta |
 |
PD85025C | STMicroelectronics | FET RF 40V 945MHZ M243 | Inchiesta |
 |
MAGX-001090-600L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 600W | Inchiesta |
 |
MRF5S19100HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 | Inchiesta |
 |
BLF8G20LS-220U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B | Inchiesta |
|
MRF21030LR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-400 | Inchiesta |
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