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CGH09120F
- Modello di prodotti:
- CGH09120F
- fabbricante:
- Cree
- Descrizione:
- RF MOSFET HEMT 28V 440095
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14887 Pieces
- Scheda dati:
- CGH09120F.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 84V |
| Tipo transistor: | HEMT |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 440095 |
| Serie: | GaN |
| Alimentazione - uscita: | 120W |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 440095 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | CGH09120F |
| Guadagno: | 21.5dB |
| Frequenza: | 2.5GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet HEMT 28V 1.2A 2.5GHz 21.5dB 120W 440095 |
| Descrizione: | RF MOSFET HEMT 28V 440095 |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 1.2A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per CGH09120F
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
MMRF1013HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.9GHZ | Inchiesta |
 |
MRF5P20180HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 | Inchiesta |
 |
BF1109R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 11V 30MA SOT143R | Inchiesta |
|
A2T07D160W04SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 803MHZ | Inchiesta |
|
MRF8S18210WHSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI880XS2 | Inchiesta |
 |
MAGX-000035-010000 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 10WCW 0.03-3.5GHZ | Inchiesta |
 |
MRF5S9100MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-4 | Inchiesta |
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