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CE3512K2-C1
- Modello di prodotti:
- CE3512K2-C1
- fabbricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descrizione:
- RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15350 Pieces
- Scheda dati:
- CE3512K2-C1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per CE3512K2-C1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per CE3512K2-C1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - Prova: | 2V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 4V |
| Tipo transistor: | pHEMT FET |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-Micro-X |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 125mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 4-Micro-X |
| Altri nomi: | CE3512K2-C1TR |
| Figura di rumore: | 0.5dB |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | CE3512K2-C1 |
| Guadagno: | 13.7dB |
| Frequenza: | 12GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X |
| Descrizione: | RF FET 4V 12GHZ 4MICROX |
| Valutazione attuale: | 15mA |
| Corrente - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per CE3512K2-C1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
CGH80030D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 28V DIE | Inchiesta |
 |
NE651R479A-A | CEL | FET RF 8V 1.9GHZ 79A | Inchiesta |
 |
BF998,215 | NXP USA Inc. | MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B | Inchiesta |
 |
CE3512K2 | CEL | RF FET 4V 12GHZ 4MICROX | Inchiesta |
 |
IXZR08N120A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Inchiesta |
 |
BLF6G27LS-50BN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | Inchiesta |
 |
PTFA092211FLV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | Inchiesta |
 |
CE3514M4-C2 | CEL | RF MOSFET PHEMT FET 2V SOT343 | Inchiesta |
 |
MRF6V2300NBR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 | Inchiesta |
 |
MRF8HP21130HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4 | Inchiesta |
|
CE3514M4 | CEL | RF FET 4V 12GHZ SOT343 | Inchiesta |
 |
MRF275L | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 65V 500MHZ 333-04 | Inchiesta |
 |
BLF8G10L-160,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A | Inchiesta |
|
A2T21H100-25SR3 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS TRANS CELL | Inchiesta |
|
MRF281ZR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z | Inchiesta |
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